Tagحافظه

لپ تاپ ها چه زمانی به حافظه های SSD با ظرفیت 10 ترابایت مجهز می شوند؟

لپ تاپ ها چه زمانی به حافظه های SSD با ظرفیت 10 ترابایت مجهز می شوند؟

موبایل شما 16 گیگابایت حافظه داخلی داشته باشد یا 60 ترابات، به احتمال خیلی زیاد، همواره به دنبال راهی برای افزایش این ظرفیت هستید. خبر خوب اینجاست که مموری فلش ناند سه بعدی (3D NAND) ابداع شده و انتظار می رود که در آینده به ساخت مموری های ارزان تر، پرسرعت تر و با حجم بالاتر بیانجامد.

اگر علاقمند هستید که بیشتر در مورد ناند سه بعدی یا 3D NAND بدانید توصیه می کنیم این مطلب را تا انتها مطالعه نمایید.

نحوه عملکرد فلش مموری چگونه است؟

فلش مموری یا همان نوع حافظه ای که درون کارت های SD، حافظه های SSD و اسمارت فون شما مورد استفاده قرار می گیرد در برگیرنده تعدادی ترانزیستور شناور است که مقادیر «روشن» یا «خاموش» را به خود اختصاص داده اند (همان 0 و 1).

این بلوک های حافظه نیز به صورت دو بعدی یا کنار هم مرتب شده اند. اما به لطف پیشرفت هایی که در زمینه تکنولوژی حاصل شده، بشر توانست بلوک های حافظه بیشتری را روی یک قطعه نیمه رسانا جای دهد که این امر در نهایت به ساخت مموری های با ظرفیت بیشتر منجر گردید.

براساس قانون مور، این یعنی ما هر دو سال یکبار باید شاهد دو برابر شدن تعداد ترانزیستورهای یک چیپ باشیم که در نتیجه آن تراکم ذخیره سازی آن نیز بالا خواهد رفت.

روشی که در بالا به آن اشاره کردیم تحت عنوان Single Level Cell شناخته می شود که در آن، هر سلول حافظه تنها میزبان یک بیت داده خواهد بود و از جمله مزایای آن می توان به سرعت بالا و همچنین دوام زیاد مموری های ساخته شده براساس آن اشاره نمود.

اما دو پیکره بندی دیگر به نام های MLC و TLC هم وجود دارد که در آنها هر سلول به ترتیب میزبان دو و سه بیت داده می شود.

مموری هایی که با روش MLC و TLC ساخته می شوند هر دو تراکم ذخیره سازی بالایی دارند اما سرعت انتقال داده در آنها پایین و دوامشان هم کم است. نکته دیگری که باید درنظر داشت این است که مموری های امروزی متعلق به هر کدام از سه گروه یاد شده در بالا باشند، همگی روی یک سطح صاف تنظیم شده اند.

چرا به تکنولوژی تازه ای برای این منظور نیاز است؟

اما همزمان با این تلاش برای گنجاندن سلول های حافظه بیشتر روی نیمه رساناها، مشکلاتی برای کم کردن ابعاد نهایی تراشه ها به وجود می آید. علیرغم ایده آل هایی که قانون مور مطرح کرده، دانشمندان حالا برای ساخت تراشه های کوچک تر از 15 نانومتر (اندازه غالب ترانزیستورهای ناند) با مشکل روبرو هستند. با کم شدن ابعاد سلول های حافظه، دیواره های میان آنها نیز کوچک تر می شود و الکترون هایی که در نتیجه این کار به بیرون نشت پیدا می کنند بیشتر دردسر آفرین می شوند (به خصوص در حافظه های MLC و TLC که تعیین سطح شارژ دقیق شان دشوارتر است).

با در نظر داشتن آنچه گفته شد، کم کردن ابعاد چیپ های حافظه و پایین آوردن آنها از رقم 13 نانومتر محققان را با دردسرهایی روبرو کرده و این دستاورد جز با افت عملکرد محصولات تولیدی میسر نشده است.

عملکرد ناند سه بعدی چگونه است؟

3D NAND همانطور که از نامش پیداست به تکنیکی برای ایجاد لایه های متعدد درون قطعات سیلیکونی مربوط می شود که به موجب آن سلول های مموری برای بالا بردن ظرفیت ذخیره سازی روی هم قرار می گیرند. با قرار دادن این سلول ها درون 32 لایه مختلف، هر لایه ظرفیت ذخیره سازی به مراتب بیشتری نسبت به قبل پیدا خواهد کرد و علاوه بر این، سلول ها می توانند در هر سطح با فاصله بیشتری از هم قرار بگیرند و در نتیجه کمتر با یکدیگر تداخل پیدا خواهند کرد.

علاوه بر این، در ناندهای سه بعدی، سلول ها هم می توانند از نوع MLC باشند و هم TLC که این موضوع به افزایش قابل توجه در ظرفیت ذخیره سازی شان منتهی خواهد شد. اگر این سلول ها از نوع MLC باشند می توان آنها را در قالب ظرفیت های 256 گیگابیتی و درون 32 لایه قرار داد و چنانچه از نوع TLC باشند، ظرفیتی برابر با 384 گیگابیت خواهند داشت.

اینتل و میکرون دو شرکتی هستند که در زمینه تولید ناند سه بعدی همکاری هایی را با هم داشته اند و حالا امیدوارند که پیشرفت های صورت گرفته در این زمینه بالاخره ساخت حافظه های SSD با ابعاد یک تکه آدامس و حجم بالغ بر 3.5 ترابایت یا حتی حافظه های 2.5 اینچی ده ترابایتی برای استفاده در لپ تاپ ها را ممکن کند.

امروزه تکنولوژی تولید 3D NAND به قدری پیشرفت کرده که امکان تولید تراشه های نیمه رسانا با ظرفیتی تا سه برابر حافظه های ناند دو بعدی را فراهم نموده و باید بگوییم که این صنعت هنوز دوران ناپختگی خود را طی می کند و همچنان راه درازی را برای پیشرفت در پیش دارد.

اما ایراد ناندهای سه بعدی این است که تولیدشان نیازمند سطح بالایی از دقت است چراکه هر ستون از آنها باید با دقت بالایی در جایشان قرار داده شوند به نحوی که بلوک های حافظه همچنان به صورت سلسله وار و پشت سر هم قرار بگیرند.

چه زمانی می توان کامپیوترهایی بهره مند از این نوع حافظه را خریداری کرد؟

خبر خوب اینکه ناند سه بعدی گرچه حدودا یک سال پیش معرفی شد، اما نخستین سری تجاری از آن تازه وارد بازار شده. برای نمونه اینتل حافظه های اس اس دی سری 600p خود را مدتی است که وارد بازار کرده و اس اس دی های سری شرکت ای دیتا نیز شش ماه پیش معرفی شد. خبر بد اینکه محصول هر دوی این شرکت ها در قالب حجم های 128، 256، 512 گیگابایت و یک ترابایت عرضه شده اند و بنابراین هنوز هم که هنوز است خبری از لپ تاپ های بهره مند از حافظه های SSD با ظرفیت ده ترابایت نیست. در هر صورت این درایوها وعده سرعت و دوامی بالاتر از حافظه های SSD را به مخاطبان خود می دهند اما اگر دوست دارید حافظه فلشی با سه ترابایت ظرفیت ذخیره سازی خریداری نمایید بهتر است اندکی برای این منظور صبر کنید.

همانطور که گفته شد هنوز برای عرضه ناندهای سه بعدی به صورت تجاری کمی زود است. اما از آنجا که این نوع حافظه امکان قرارگیری ترانزیستورهای بیشتری را روی قطعات نیمه رسانا فراهم میکنند، می توان اینطور نتیجه گرفت که قانون مور را پشت سر می گذارند.

نکته پایانی اینکه به واسطه این پیشرفت ها می توان انتظار داشت که 3D NAND با قیمت پایین تر، اطمینان پذیری بالاتر و ظرفیت ذخیره سازی بیشتری از طریق دستگاه های مختلف در اختیار کاربران قرار داده شود.

The post appeared first on .

لپ تاپ ها چه زمانی به حافظه های SSD با ظرفیت 10 ترابایت مجهز می شوند؟

سامسونگ به زودی از یک حافظه فوق سریع به نام MRAM رونمایی می کند

سامسونگ به زودی از یک حافظه فوق سریع به نام MRAM رونمایی می کند

طبق گزارشات سامسونگ سریع ترین مموری در نوع خود را ساخته و قصد دارد آن را طی رویدادی که در تاریخ سوم خرداد برگزار می شود به نمایش بگذارد.

این نوع حافظه ایستا که MRAM (کوتاه شده عبارت رم magnetoresistant) نام دارد از تکنولوژی برای نوشتن و خواندن دیتا استفاده می کند و سرعت آن تا هزار برابر بیشتر از راهکارهای ناند موجود در بازار است. حافظه ابداعی توسط سامسونگ همچنین مقدار انرژی کمتری را در حالت فعال مصرف می کند و میزان مصرف انرژی آن در وضعیت غیرفعال نیز برابر با صفر است.

حتما تایید می کنید که این مشخصات بیش از اندازه خوب هستند که بشود باورشان کرد. اما ایراد کار کجاست؟ در حال حاضر سامسونگ تنها می تواند انواع چند مگابایتی از این حافظه ها را بسازد.

بنابراین MRAM در برهه کنونی صرفا به عنوان یک حافظه کش مکمل برای پردازنده ها مناسب است. در وهله نخست نیز سامسونگ بنا دارد با واحد دستگاه های اینترنت اشیاء NXP وارد همکاری شود و در ادامه این حافظه را در محصولات بیشتری از جمله اسمارت فون ها به خدمت بگیرد.

MRAM به خاطر سرعت بالا و مصرف انرژی بسیار کمش برای حافظه هایی مناسب است که مرتبا باید در دسترس باشند و سطح عملکرد پردازنده را بهبود بدهند. لذا می توان امیدوار بود که در آینده به لطف آن اسمارت فون ها، تبلت ها و دستگاه های هوشمند سریع تر و کم مصرف تری وارد بازار شوند.

The post appeared first on .

سامسونگ به زودی از یک حافظه فوق سریع به نام MRAM رونمایی می کند

خالق سیری: در آینده انسان به حافظه ماورایی دست می یابد

خالق سیری: در آینده انسان به حافظه ماورایی دست می یابد

در یکی از قسمت های برنامه تلویزیونی «آینه سیاه»، نویسنده داستان جهانی را متصور می شود که در آن، انسان قادر است هر اتفاقی که در محیط پیرامونش رخ می دهد را در خاطر خود ثبت و ضبط کند.

حال، تیم گروبر از شرکت اپل نیز چشم اندازی مشابه به این را برای آینده بشر ترسیم کرده و اظهار داشته که به باور وی، در این آینده حافظه های کامپیوتری بیشتر مفید خواهند بود تا مضر.

گروبر که بنیانگذار سیری است چندی قبل در کنفرانس تد 2017 در ونکوور کانادا حضور یافت و در سخنرانی خود مدعی شد در آینده، کامپیوترها قادرند هرآنچه در محیط پیرامون مان رخ می دهد را ثبت و ضبط کنند و در نتیجه امکانی را برای مان فراهم خواهند کرد تا هرآنکس که در زندگی مان ملاقات کرده ایم را به خاطر بیاوریم و همزمان یادمان بماند که مثلا ورزش مورد علاقه شان چه بوده، اعضای خانواده شان چه اشخاصی بوده اند و بسیاری موارد دیگر.

در آینده کامپیوترها هرآنچه در محیط اطراف مان رخ می دهند را ثبت و ضبط خواهند کرد

او روی سن کنفرانس تد اینطور گفت: من معتقدم که هوش مصنوعی بهبود حافظه های شخصی را به یک واقعیت بدل خواهد کرد و بر این باورم که چنین آینده ای غیرقابل اجتناب است. با این همه گروبر تاکید کرد که نمی داند این اتفاق کی و دقیقا چگونه رخ خواهد داد.

گروبر در صحبت های خود بر لزوم حفظ امنیت اطلاعات گردآوری شده از این طریق تاکید کرد و اضافه نمود: این ما هستیم که باید تصمیم بگیریم چه چیزی به یادآورده و حفظ شود و چه چیزی نشود.

به باور وی، این نوع تکنولوژی نتنها برای علاقمندان به مقوله دیتا مفید واقع می شود بلکه به افرادی که از بیماری های مختلف نظیر جنون و شیزوفرنی نیز رنج می برند هم برای بهبود کمک خواهد کرد.

گروبر در صحبت های خود اشاره ای هم به دیگر فواید هوش مصنوعی داشت و مواردی نظیر تشخیص سرطان و البته ایجاد دستیارهای شخصی را به عنوان نمونه برشمرد.

The post appeared first on .

خالق سیری: در آینده انسان به حافظه ماورایی دست می یابد

تفاوت سرعت حافظه داخلی در هوآوی P10

تفاوت سرعت حافظه داخلی در هوآوی P10

آخرین موبایل پرچمدار شرکت هوآوی موسوم به P10، با حافظه داخلی ۳۲ و ۶۴ گیگابایتی ارائه می شود و خود کاربر هم می تواند از یک کارت حافظه microSD تا حجم ۲۵۶ گیگابایت استفاده کند. اما مسئله ای که امروز خبرساز شده، تفاوت عملکرد حافظه داخلی در نمونه های مختلف است. اینطور که وب سایت «گیزموچاینا» گزارش می دهد، سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در موبایل P10 ثابت نیست و شرکت هوآوی برای بازارهای مختلف، انواع متفاوتی از چیپ حافظه را برگزیده است.

با استفاده از نرم افزاری موسوم به «Androbench 5.0» تعدادی از کاربرانی که این موبایل را در اختیار داشته اند، سرعت حافظه داخلی را بررسی کرده و متوجه همین موضوع شده اند. عده ای از کاربران در این بنچمارک برای خواندن اطلاعات، به سرعتی حدود ۷۰۰ مگابایت بر ثانیه دست یافته اند در حالی که گروهی دیگر، ۵۰۰، ۴۰۰ و برخی هم زیر ۳۰۰ مگابایت در ثانیه را به ثبت رسانده اند.

نکته اینجاست که شرکت مورد بحث در پرچمدار خود از گونه های متفاوتی از چیپ حافظه داخلی بهره گرفته. هوآوی در برخی از مدل های P10 از حافظه UFS 2.1 استفاده کرده و همین موضوع باعث شده تا سرعت خواندن اطلاعات به بالای ۷۰۰ مگابایت بر ثانیه برسد.

استفاده از انواع مختلف حافظه داخلی، علت اصلی تفاوت سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در P10

گویا برخی دیگر از مدل های P10 به حافظه UFS 2.0 مجهز بوده و به همین دلیل، کاربران سرعت ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ای را تجربه کرده اند. اما به نظر می رسد که ضعیف ترین دسته از P10 ها که سرعتی کمتر از ۳۰۰ مگابایت بر ثانیه برای خواندن اطلاعات داشته اند، از حافظه eMMC 5.1 برخوردار بوده اند که طبیعتاً نسخه ای ارزان تر چیپ حافظه UFS 2.1 است.

لازم به ذکر است که دیجیاتو در چند روز گذشته مشغول بررسی هوآوی P10 بوده و در بررسی تخصصی که به زودی منتشر می شود، نتایج بنچمارک حافظه از مدلی که به شکل رسمی وارد ایران شده را نیز در اختیار کاربران خواهد گذاشت.

The post appeared first on .

تفاوت سرعت حافظه داخلی در هوآوی P10

سونی از سریع ترین کارت حافظه SD دنیا رونمایی کرد

سونی از سریع ترین کارت حافظه SD دنیا رونمایی کرد

بنا بر اعلام رسمی شرکت سونی، کارت های حافظه SD جدید سری «SF-G» این شرکت از بهار امسال روانه بازار خواهند شد. این ذخیره ساز تازه وارد با سرعت نوشتن 299 مگابایت در ثانیه، با اقتدار عنوان سریع ترین کارت حافظه SD دنیا را از آن خود کرده است.

کارت های سری SF-G در ظرفیت های ۳۲، ۶۴ و ۱۲۸ گیگابایت روانه بازار خواهند شد و سرعت خواندن اطلاعات در آنها نیز برابر با 300 مگابایت بر ثانیه اعلام شده است. این محصول با پشتیبانی از رابط کاربری جدید «UHS-II» و برخورداری از ردیف دوم پین های اتصال، پهنای باند وسیع تری را در اختیار دستگاه های پشتیبانی کننده قرار خواهد داد.

به طور قطع کاربرد اصلی حافظه مورد بحث در عکاسی های بسیار سریع، ثبت ویدیوهای 4K و ضبط ویدیو با نرخ فریم بالا خواهد بود. برای بهره مندی از نهایت سرعت انتقال اطلاعات در کارت های مورد بحث، سونی یک کارت خوان اختصاصی را نیز برای این محصول عرضه خواهد کرد.

از اصلی ترین رقبای کارت حافظه جدید می توان به «Extreme PRO UHS-II» محصول سندیسک و «Professional 2000x UHS-II» شرکت لکسار اشاره کرد که سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در آنها به ترتیب برابر 300 و 260 مگابایت در ثانیه است. برای مقایسه بد نیست بدانید که سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در کارت حافظه بسیار پرفروش ۳۲ گیگابایتی «Ultra Class 10 SDHC UHS-I» سندیسک برابر با 80 مگابایت در ثانیه اعلام شده.

هنوز اطلاعی در خصوص قیمت دقیق کارت های سری SF-G در دست نیست، اما رقبای ضعیف تر آن از قیمتی در حدود 60 دلار برخوردار هستند. ضمن این که نباید مقاومت این محصول در برابر آب، حرارت و اشعه X را نیز از یاد برد.

The post appeared first on .

سونی از سریع ترین کارت حافظه SD دنیا رونمایی کرد