بازی آزاد

ابداع نوعی حافظه انعطاف پذیر که دیوایس های الکترونیکی را متحول می کند

بالاخره جایگزینی ارزان تر و سازگارتر با محیط زیست برای حافظه های فلش کنونی ابداع شد: حافظه های گرافنی فوق پر سرعت، بسیار کوچک و با ظرفیت بالا که شفاف و انعطاف پذیر نیز هستند. دانشمندان دانشگاه اکستر (Exeter) انگلستان به تازگی مقاله ای در رابطه با منتشر ساخته اند که می تواند عصری طلایی را در حوزه دیوایس های الکترونیکی رقم بزند.

این حافظه جدید، بهترین راه حل برای اسمارت فون های انعطاف پذیر و پوشیدنی های هوشمند به شمار می رود و در صورتی که تولید انبوه آن با مشکل خاصی مواجه نشود، به راحتی می تواند جایگزین حافظه های فلش کنونی در تمامی دیوایس های الکترونیکی شود. پژوهشگران می گویند این حافظه ارزان تر و سازگارتر از حافظه های فلش است و «عملکردی مثال زدنی در زمینه ماندگاری و حفظ داده دارد.»

پروفسور «دیوید رایت» محقق ارشد مقاله فوق در این رابطه می گوید:

استفاده از اکسید گرافن برای تولید حافظه پیش از این نیز گزارش شده، اما تحقیقات قبلی محصولاتی بسیار بزرگ و کُند را ارائه کرده بودند که صرفاً در حوزه دیوایس های الکترونیکی ارزان قیمت به کار می رفتند. در مقابل حافظه های هیبریدی ما که از اکسید گرافن و اکسید تیتانیوم ساخته شده اند، فقط 50 نانومتر طول و 8 نانومتر ضخامت دارند و سرعت خواندن و نوشتن داده در آنها کمتر از 5 نانوثانیه است.

گفتنیست همانند دیگر تحقیقات بنیادین در تمامی حوزه ها، شاید چندین سال طول بکشد تا چنین حافظه هایی به تولید انبوه رسیده و به بازار مصرفی عمومی راه یابند، اما این موضوع چیزی از ارزش های دستاورد فوق کم نمی کند. موانع سر راه تولید موبایل های انعطاف پذیر، یکی پس از دیگری برداشته شده اند و با توسعه نمایشگرهای منعطف، باتری های لیتیوم-یونی قابل خمش در کنار حافظه های گرافنی کنونی، می توان انتظار داشت در آینده ای نه چندان دور شاهد عرضه چنین دستگاه هایی باشیم.

The post appeared first on .

ابداع نوعی حافظه انعطاف پذیر که دیوایس های الکترونیکی را متحول می کند

نسل بعدی حافظه های رم، سرعت فعلی را تا دو برابر افزایش می دهند

به زعم JEDEC، سازمانی که تعیین استانداردهای حافظه های کامپیوتری را برعهده دارد، DDR5، نسل بعدی حافظه های رم که جایگزینی برای رم های DDR4 فعلی خواهد بود، سرعتی تا دو برابر بیشتر را با خود به ارمغان می آورند.

JEDEC می گوید که استانداردسازی DDR5 در تاریخی نامشخص طی سال 2018 میلادی نهایی خواهد شد و مدعی شده که این حافظه ها «پهنای باند و تراکمی تا دو برابر بیشتر نسبت به DDR4» را ارائه داده و از نظر مصرف انرژی، بسیار بهینه تر هستند.

البته ناگفته نماند که گرچه این استاندارد تازه، طی سال آتی میلادی رسماً به ثبت می رسد اما بعید است که تولیدات چنین حافظه هایی تا پیش از سال 2020 آغاز شود.

DDR4، یعنی استاندارد فعلی، در سال 2012 به صورت رسمی ثبت شد اما تا پیش از سال 2015، به دست مشتریان و مردم نرسید؛ چرا که پردازنده ها و چیپست ها باید برای پشتیبانی از آن به روزرسانی می شدند. می توان امیدوار بود که این بار، همه چیز با سرعت بیشتری دنبال شده و تا پیش از دهه جاری میلادی، قادر به استفاده از نسل بعدی حافظه های رم باشیم.

The post appeared first on .

نسل بعدی حافظه های رم، سرعت فعلی را تا دو برابر افزایش می دهند

اولین حافظه فلش 3D NAND و 72 لایه توسط SK Hynix ساخته می شود

دومین شرکت بزرگ تولید کننده چیپ حافظه فلش «SK Hynix» نام دارد و امروز با انتشار خبری جالب، عنوان کرده که تا پایان سال ۲۰۱۷ و برای اولین بار در جهان، اقدام به تولید انبوه چیپ های حافظه 3D NAND از نوع ۷۲ لایه خواهد کرد.

این در حالیست که پیروی خبرهای غیر رسمی، گفته می شود که شرکت SK Hynix در ماه گذشته تولید انبوه حافظه های 3D NAND و ۴۸ لایه را آغاز کرده و حالا خود این شرکت خبر از تولید همین نمونه از حافظه با ۷۲ لایه در سال آینده می دهد.

شرکت های نیمه هادی اکنون در افزودن لایه های حافظه با هم رقابتی سخت دارند. برای مثال سامسونگ الکترونیکس به عنوان بزرگترین تولید کننده چیپ حافظه در جهان، و از آن به عنوان نسل بعدی حافظه ها نام برد. سپس توشیبا رسماً اعلام کرد که موفق به تولید انبوه چیپ های 3D NAND و ۶۴ لایه شده است.

این در حالیست که انتظار می رود بازار حافظه فلش NAND از سال ۲۰۱۵ الی ۲۰۲۰ رشدی ۴۴ درصدی داشته باشد. لازم به اشاره است که این صنعت پیشرفت بسیار شگرفی در چند سال اخیر داشته است. برای مثال در سال ۲۰۱۳ شرکت ها موفق به تولید چیپ های NAND و ۲۴ لایه شدند.

با این حال دومین تولید کننده بزرگ حافظه در جهان به نام SK Hynix، تصمیم گرفته تا یک راست به سراغ توسعه چیپ های حافظه ۷۲ لایه برود که در حال حاضر، حجیم ترین نمونه در نوع خود است.

The post appeared first on .

اولین حافظه فلش 3D NAND و 72 لایه توسط SK Hynix ساخته می شود